石墨烯是常溫下高于納米碳管或硅晶體的電子遷移率、低于銅或銀的電阻率等物理特性，因此成為了制備功耗更小、速率更高的新一代納米電子元件的重要基礎性材料。

2004年，英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫，從石墨中成功分離出石墨烯，從而證實石墨烯可以單獨存在，兩人也因“在二維石墨烯材料的開創性實驗”共同獲得2010年諾貝爾物理學獎。

事實上，對于石墨烯的研究早在2004年前就已經在進行了，十余年來，各國科研人員針對石墨烯開展了大量研究工作，試圖研制出高效、可控的制備石墨烯納米帶的技術工藝。

基于法國SOLEIL同步加速器X射線等實驗的研究成果，法美科學團隊于2012年11月成功研制出一種用于生產石墨烯納米帶半導體的方法。科研人員在碳化硅表面刻蝕凹槽，并以此作為基板，通過控制基板的幾何形狀，在其上形成僅有幾納米寬的石墨烯納米帶。該項技術可在常溫下進行，其制備的石墨烯半導體僅為此前IBM公司所制納米帶的五分之一寬。該技術可高效、可控地制備石墨烯半導體，為石墨烯規模化工業生產帶來可能，同時也使新一代高密度集成電路的制備不再遙不可及。石墨烯納米帶生產新工藝的開發成功，使其規模化工業生產成為可能。

石墨烯納米帶因其邊緣的不同分為扶手椅型和Z型兩種，其中Z型納米帶為導體，而扶手椅型納米帶為半導體。