4月19日，保利協(xié)鑫在2017 SNEC國際太陽能產(chǎn)業(yè)及光伏工程展覽會上重磅發(fā)布G3新型單晶硅片產(chǎn)品。據(jù)介紹，該產(chǎn)品使用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶，在效率、品質(zhì)、成本、產(chǎn)量上綜合了單晶和多晶各自的優(yōu)勢。來自多家電池組件企業(yè)的數(shù)據(jù)顯示，新型單晶硅片G3在常規(guī)電池工藝、PERC高效電池工藝下與直拉單晶的效率差均小于0.5個百分點，同時在成本上有明顯優(yōu)勢，對光伏的高效化、平價化發(fā)展意義重大，有望給傳統(tǒng)單晶技術(shù)帶來深刻變革。

G3新品創(chuàng)造性地使用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)單晶，“新”在鑄錠技術(shù)和單晶的完美結(jié)合。據(jù)保利協(xié)鑫首席技術(shù)官萬躍鵬介紹，一直以來，光伏企業(yè)都采用鑄錠技術(shù)生產(chǎn)多晶、用直拉法生產(chǎn)單晶。但無論鑄錠技術(shù)還是直拉技術(shù)，都可以生產(chǎn)單晶或者多晶。保利協(xié)鑫采用新一代鑄錠技術(shù)路線生產(chǎn)單晶，融合了單晶完美的晶體結(jié)構(gòu)和表面特性、多晶的低成本等優(yōu)勢，G3新產(chǎn)品無論是外觀還是位錯密度都可媲美直拉單晶。而且，鑄錠“鑫單晶”硅片光衰更低、組件封裝損失小且更容易擴大尺寸，全壽命周期的實際輸出功率更高，可為應(yīng)用端帶來實實在在的高收益。

萬躍鵬用“高產(chǎn)能、高效率、低成本、低光衰”概括新產(chǎn)品的多重優(yōu)點。由于鑄錠單晶技術(shù)產(chǎn)出的同樣是晶向一致、位錯密度低的單晶，可與傳統(tǒng)直拉單晶一樣使用堿制絨工藝，因此轉(zhuǎn)換效率非常接近直拉單晶產(chǎn)品，并完全適用于PERC等高效電池技術(shù)，帶來更高的產(chǎn)品效率。同時，G3硅片還繼承了鑄錠技術(shù)產(chǎn)品“光衰”較低的優(yōu)點，氧含量僅為直拉單晶的一半，甚至優(yōu)于常規(guī)多晶硅片，因而由此帶來的組件光衰顯著優(yōu)于傳統(tǒng)直拉單晶。不僅如此，新型G3硅片比同樣邊長為156.75mm的直拉單晶硅片面積多出136mm²，這意味著封裝成組件時的損失更小。

更難能可貴的是，以上這些收益都是在低成本的情況下實現(xiàn)的。不同于采用直拉法制備的傳統(tǒng)單晶，新產(chǎn)品采用鑄錠技術(shù)，單次投料量大，生產(chǎn)成本明顯優(yōu)于采用“一爐三根”、“一爐四根”的直拉法單晶。鑄錠單晶的晶體結(jié)構(gòu)意味著其可以完美匹配金剛線切割技術(shù)，切割過程的硅料損失更小并可以生產(chǎn)更薄的硅片，這都是鑄錠單晶成本更低的原因所在。總體而言，保利協(xié)鑫G3新型單晶硅片使用的鑄錠技術(shù)，在實現(xiàn)高效率、高收益的同時，十分討巧地避開了單多晶各自的劣勢，有望給當(dāng)前單晶、多晶對立的競爭格局帶來新的改變。